| 主权项 |
1.一种多孔质矽质膜,其特征在于其系藉锻烧一含 有含铝聚矽氮烷及聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯 之组成物的膜而制得,且介电常数未达2.5。2.如申 请专利范围第1项之多孔质矽质膜,其中放置在温 度23℃、相对湿度50%之大气中一周后,仍可保持介 电常数未达2.5。3.如申请专利范围第2项之多孔质 矽质膜,其中前述介电常数为2.1以下。4.如申请专 利范围第1或2项之多孔质矽质膜,其中该多孔质矽 质膜之孔径在0.5nm~30nm的范围。5.如申请专利范围 第1项之多孔质矽质膜,其中前述含铝聚矽氮烷中 之聚矽氮烷系具有以下列一般式所表示之矽氮烷 结构: (上式中,R1.R2.R3系各自表示氢原子、烃基、含烃基 之甲矽烷基、含烃基之胺基或烃氧基,惟,R1及R2中 之至少一者为氢原子)。6.如申请专利范围第5项之 多孔质矽质膜,其中前述以Si-R1或Si-R2键结存在之Si 含量相对于该矽质膜中所含之Si原子数,在10~100原 子%的范围。7.如申请专利范围第6项之多孔质矽质 膜,其中前述R1.R2.R3均为氢原子。8.如申请专利范 围第6或7项之多孔质矽质膜,其中其实质上不包含 前述Si-N键结9.如申请专利范围第1项之多孔质矽质 膜,其可用于半导体装置层间绝缘膜之成分。10.如 申请专利范围第1项之多孔质矽质膜,其中含有铝 聚矽氮烷及聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酯之有机溶 剂可用作涂布组成物。 |
