| 主权项 |
1.一种研磨垫的制造方法,包括: 提供一模具,其中该模具具有一模腔; 在该模具内预埋入至少一条状物,其中该至少一条 状物之断面形状包括多边形、圆弧形或不规则形; 于该模具之该模腔中注入一高分子发泡体,并待该 高分子发泡体硬化成型; 进行一脱模步骤,以取得一成型物;以及 移除该成型物上之该条状物,以形成具有至少一沟 槽图案之一研磨垫。2.如申请专利范围第1项所述 之研磨垫的制造方法,其中该至少一条状物之断面 形状包括三角形、六角形、圆形、正方形、矩形 、蜗形、树枝状或太阳放辐射状。3.如申请专利 范围第1项所述之研磨垫的制造方法,其中该至少 一条状物之材质包括一高分子材料或是一金属材 料。4.如申请专利范围第3项所述之研磨垫的制造 方法,其中该高分子材料包括聚丙烯(PP)、聚乙烯( PE)或聚四氟乙烯(PTFE)。5.如申请专利范围第1项所 述之研磨垫的制造方法,其中该研磨垫上之该至少 一沟槽图案之分布纹路包括由内向外或由外向内 扩散之太阳辐射状、同心圆状、方格状、三角形 、螺旋状或菱形或穿孔。6.如申请专利范围第1项 所述之研磨垫的制造方法,其中该高分子发泡体包 括一聚酯发泡体。7.如申请专利范围第1项所述 之研磨垫的制造方法,其中移除该成型物上之该至 少一条状物之方法包括以刮除之方式移除或是以 外力取出之方式移除。8.如申请专利范围第1项所 述之研磨垫的制造方法,其中该至少一沟槽图案之 宽度系介于0.5 mm至15 mm之间,该至少一沟槽图案之 深度系介于0.2 mm至2.5 mm之间,该至少一沟槽图案之 间距系介于0.2 mm至20 mm之间。9.一种研磨垫的制造 方法,包括: 提供一模具,其中该模具具有一模腔; 在该模具内预埋入至少一条状物,其中该至少一条 状物系为一具分解性之材质,且该至少一条状物之 断面形状包括多边形、圆弧形或不规则形; 于该模具之该模腔中注入一高分子发泡体,并待该 高分子发泡体硬化成型; 进行一脱模步骤,以取得一成型物;以及 分解该成型物上之该条状物,以形成具有至少一沟 槽图案之一研磨垫。10.如申请专利范围第9项所述 之研磨垫的制造方法,其中该至少一条状物之切面 形状包括三角形、六角形、圆形、正方形、矩形 、蜗形、树枝状或太阳放辐射状。11.如申请专利 范围第9项所述之研磨垫的制造方法,其中该至少 一条状物之材质包括一水溶性高分子材质。12.如 申请专利范围第9项所述之研磨垫的制造方法,其 中该研磨垫上之该至少一沟槽图案之分布纹路包 括由内向外或由外向内扩散之太阳辐射状、同心 圆状、方格状、三角形、螺旋状或菱形或穿孔。 13.如申请专利范围第9项所述之研磨垫的制造方法 ,其中该高分子发泡体包括一聚酯发泡体。14.如 申请专利范围第9项所述之研磨垫的制造方法,其 中该至少一沟槽图案之宽度系介于0.5 mm至15 mm之 间,该至少一沟槽图案之深度系介于0.2 mm至2.5 mm之 间,该至少一沟槽图案之间距系介于0.2 mm至20 mm之 间。15.一种研磨垫的制造方法,包括: 提供一模具,其中该模具具有一模腔; 在该模具内预埋入至少一条状物,其中该至少一条 状物之断面形状包括多边形、圆弧形或不规则形; 于该模具之该模腔中注入一高分子发泡体,并待该 高分子发泡体硬化成型; 于该模具中注入一高分子材料,并待该高分子材料 硬化成型; 进行一脱模步骤,以取得具有两层结构之一成型物 ;以及 移除该成型物上之该至少一条状物,以形成具有至 少一沟槽图案之一研磨垫。16.如申请专利范围第 15项所述之研磨垫的制造方法,其中该高分子发泡 体之硬度较该高分子材料之硬度高。17.如申请专 利范围第16项所述之研磨垫的制造方法,其中该高 分子发泡体之硬度系介于30 shore D至80 shore D之间, 该高分子材料之硬度系介于5 shore A至60 shore A之间 。18.如申请专利范围第15项所述之研磨垫的制造 方法,其中该高分子发泡体包括一聚脂发泡体。 19.如申请专利范围第15项所述之研磨垫的制造方 法,其中该高分子材料包括聚酯(PU)、矽橡胶( Silicone rubber)、聚丁基橡胶(PER)、聚氯乙烯乳胶(PVC latex)、或聚丙烯酸系乳胶(PMMA latex)。20.如申请专 利范围第15项所述之研磨垫的制造方法,其中该至 少一条状物之断面形状包括三角形、六角形、圆 形、正方形、矩形、蜗形、树枝状或太阳放辐射 状。21.如申请专利范围第15项所述之研磨垫的制 造方法,其中该至少一条状物之材质包括一高分子 材料或是一金属材料。22.如申请专利范围第21项 所述之研磨垫的制造方法,其中该高分子材料包括 聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚四氟乙烯(PTFE)。23.如 申请专利范围第21项所述之研磨垫的制造方法,其 中移除该成型物上之该至少一条状物之方法包括 以刮除之方式移除或是以外力取出之方式移除。 24.如申请专利范围第15项所述之研磨垫的制造方 法,其中该条状物之材质包括一具分解性之高分子 材料或一水溶性之高分子材料。25.如申请专利范 围第15项所述之研磨垫的制造方法,其中该研磨垫 上之该至少一沟槽图案之分布纹路包括由内向外 或由外向内扩散之太阳辐射状、同心圆状、方格 状、三角形、螺旋状或菱形或穿孔。26.如申请专 利范围第15项所述之研磨垫的制造方法,其中该至 少一沟槽图案之宽度系介于0.5 mm至15 mm之间,该至 少一沟槽图案之深度系介于0.2 mm至2.5 mm之间,该至 少一沟槽图案之间距系介于0.2 mm至20 mm之间。图 式简单说明: 第1图是依照本发明一较佳实施例之单层结构研磨 垫制造流程;以及 第2图是依照本发明一较佳实施例之双层结构研磨 垫制造流程。 |
