| 主权项 |
1.一种包括多层之资料储存媒体,包括: a)包含聚合物之基层;及 b)至少一层位于该基材上之资料层; 其中位于储存媒体预定最大倾斜范围之聚合物系 具有由下式(I)所决定之水应变: 其中t系为基材厚度;r系为储存媒体之预定半径;且 rh系为相对湿度之变化。2.如申请专利范围第1 项之储存媒体,其中该半径系为53毫米。3.如申请 专利范围第1项之储存媒体,其中该相对湿度之变 化系于25℃下40%。4.如申请专利范围第1项之储存 媒体,其中该聚合物系包含热塑料或热固料。5.如 申请专利范围第4项之储存媒体,其中该聚合物系 包含至少一种热塑料。6.如申请专利范围第5项之 储存媒体,其中该热塑料系选自由聚酯、聚碳酸酯 、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚醯胺 、芳族聚醚诸如聚醚及聚醚醯亚胺、聚醚酮、 聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、及其组合物所组 成之群。7.如申请专利范围第6项之储存媒体,其中 该热塑料系包含聚碳酸酯。8.如申请专利范围第1 项之储存媒体,其中该基材厚度系介于约0.4毫米及 约2.5毫米之范围内。9.如申请专利范围第8项之储 存媒体,其中该基材厚度系为1.2毫米。10.如申请专 利范围第9项之储存媒体,其中该最大倾斜范围系 为1.2度,而最大水应变系小于0.06百分比。11.如申 请专利范围第9项之储存媒体,其中该最大倾斜范 围系为0.8度,而最大水应变系小于0.04百分比。12. 如申请专利范围第9项之储存媒体,其中该最大倾 斜范围系为0.3度,而最大水应变系小于0.015百分比 。13.如申请专利范围第8项之储存媒体,其中该基 材厚度系为0.6毫米。14.如申请专利范围第13项之 储存媒体,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而最大 水应变系小于0.03百分比。15.如申请专利范围第13 项之储存媒体,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而 最大水应变系小于0.02百分比。16.如申请专利范围 第13项之储存媒体,其中该最大倾斜范围系为1.2度, 而最大水应变系小于0.0008百分比。17.一种包括多 层之资料储存媒体,包括: a)包含聚碳酸酯之基层;及 b)至少一层位于该基材上之资料层; 其中位于1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由 下式(I)所决定之水应变: 其中t系为1.2毫米;r系为53毫米;且rh系为25℃下之 40百分比。18.一种包括多层之资料储存媒体,包括: a)包含聚碳酸酯之基层;及 b)至少一层位于该基材上之资料层; 其中位于1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由 下式(I)所决定之水应变: 其中t系为0.6毫米;r系为53毫米;且rh系为25℃下之 40百分比。19.一种资料储存媒体,其包括多个薄层, 包括: a)至少一层包含聚合物之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚合物相同之材料;且 其中位于储存媒体预定最大倾斜范围之聚合物系 具有由下式(II)所决定之水应变: 其中t系为基材厚度;系为薄膜层厚度相对于基 层厚度之预定厚度比;r系为储存媒体之预定半径; 且rh系为相对湿度之变化。20.如申请专利范围 第19项之储存媒体,其中该半径系为53毫米。21.如 申请专利范围第19项之储存媒体,其中厚度比系为0 .068,而基材厚度系为1.1毫米。22.如申请专利范围 第21项之储存媒体,其中最大倾斜范围系为1.2度,而 最大水应变系小于0.095百分比。23.如申请专利范 围第21项之储存媒体,其中最大倾斜范围系为0.8度, 而最大水应变系小于0.064百分比。24.如申请专利 范围第21项之储存媒体,其中最大倾斜范围系为0.3 度,而最大水应变系小于0.024百分比。25.如申请专 利范围第19项之储存媒体,其中厚度比系为0.091,而 基材厚度系为1.1毫米。26.如申请专利范围第25项 之储存媒体,其中最大倾斜范围系为1.2度,而最大 水应变系小于0.117百分比。27.如申请专利范围第25 项之储存媒体,其中最大倾斜范围系为0.8度,而最 大水应变系小于0.078百分比。28.如申请专利范围 第25项之储存媒体,其中最大倾斜范围系为0.3度,而 最大水应变系小于0.029百分比。29.如申请专利范 围第19项之储存媒体,其中该相对湿度之变化系于 25℃下40%。30.如申请专利范围第19项之储存媒体, 其中该聚合物系包含热塑料或热固料。31.如申请 专利范围第30项之储存媒体,其中该聚合物系包含 至少一种热塑料。32.如申请专利范围第31项之储 存媒体,其中该热塑料系选自由聚酯、聚碳酸酯、 聚苯乙烯,聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚醯胺、芳 族聚醚诸如聚醚及聚醚醯亚胺、聚醚酮、聚醚 醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、及其组合物所组成之 群。33.如申请专利范围第32项之储存媒体,其中该 热塑料系包含聚碳酸酯。34.如申请专利范围第19 项之储存媒体,其中该薄膜层系具有介于该基材厚 度之约5百分比至约25百分比范围内之厚度。35.如 申请专利范围第34项之储存媒体,其中该薄膜层系 具有介于该基材厚度之约10百分比至约20百分比范 围内之厚度。36.一种资料储存媒体,其包括多个薄 层,包括: a)至少一层包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 其中位于1.2度之最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有 由下式(II)所决定之水应变: 其中t系为1.1毫米;系为0.068;r系为53毫米;且rh 系为25℃下之40百分比。37.一种资料储存媒体,其 包括多个薄层,包括: a)至少一层包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 其中位于1.2度之最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有 由下式(II)所决定之水应变: 其中t系为1.1毫米;系为0.091;r系为53毫米;且rh 系为25℃下之40百分比。38.一种测定多层物件自一 侧面吸水时之水应变的方法,该方法系包括预先测 定该物件之最大倾斜范围及半径;及 使用下式(I)计算水应变: 其中t系为基材厚度;r系为储存媒体之预定半径;且 rh系为相对湿度之变化。39.如申请专利范围第38 项之方法,其中该物件系包括资料储存媒体。40.如 申请专利范围第39项之方法,其中该资料储存媒体 系包括: a)包含聚合物之基层;及 b)至少一层资料层。41.如申请专利范围第40项之方 法,其中该半径系为53毫米。42.如申请专利范围第 38项之方法,其中该相对湿度之变化系于25℃下40% 。43.如申请专利范围第40项之方法,其中该聚合物 系包含热塑料或热固料。44.如申请专利范围第43 项之方法,其中该聚合物系包含至少一种热塑料。 45.如申请专利范围第44项之方法,其中该热塑料系 选自由聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚酮、聚醯胺、芳族聚醚诸如聚醚及 聚醚醯亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯 硫醚、及其组合物所组成之群。46.如申请专利范 围第45项之方法,其中该热塑料系包含聚碳酸酯。 47.如申请专利范围第40项之方法,其中该基材厚度 系介于约0.4毫米及约2.5毫米之范围内。48.如申请 专利范围第47项之方法,其中该基材厚度系为1.2毫 米。49.如申请专利范围第48项之方法,其中该最大 倾斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于0.06百分 比。50.如申请专利范围第48项之方法,其中该最大 倾斜范围系为0.8度,而最大水应变系小于0.04百分 比。51.如申请专利范围第48项之方法,其中该最大 倾斜范围系为0.3度,而最大水应变系小于0.015百分 比。52.如申请专利范围第47项之方法,其中该基材 厚度系为0.6毫米。53.如申请专利范围第52项之方 法,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变 系小于0.03百分比。54.如申请专利范围第52项之方 法,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变 系小于0.02百分比。55.如申请专利范围第52项之方 法,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变 系小于0.0008百分比。56.一种测定资料储存媒体之 水应变的方法,其中该储存媒体系包括: 包含聚合物之基层;及 至少一层资料层; 该方法包括使用下式(I)计算水应变: 其中最大倾斜范围系为1.2度;t系为1.2毫米;r系为53 毫米;且rh系为25℃下之4.0百分比。57.一种测定 资料储存媒体之水应变的方法,其中该储存媒体系 包括: 包含聚合物之基层;及 至少一层资料层; 该方法包括使用下式(I)计算水应变: 其中最大倾斜范围系为1.2度;t系为0.6毫米;r系为53 毫米;且rh系为25℃下之40百分比。58.一种测定多 层物件自多于一侧面吸收时之水应变的方法,该方 法系包括预先测定该物件之最大倾斜范围及半径; 及 使用下式(II)计算水应变: 其中t系为基材厚度;系为薄膜层厚度相对于基 层厚度之预定厚度比;r系为储存媒体之预定半径; 且rh系为相对湿度之变化。59.如申请专利范围 第58项之方法,其包括资料储存媒体。60.如申请专 利范围第59项之方法,其中该资料储存媒体系包括: 至少一层包含聚合物之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚合物相同之材料。 61.如申请专利范围第60项之方法,其中该半径系为 53毫米。62.如申请专利范围第60项之方法,其中厚 度比系为0.068,而基材厚度系为1.1毫米。63.如申请 专利范围第62项之方法,其中最大倾斜范围系为1.2 度,而最大水应变系小于0.095百分比。64.如申请专 利范围第62项之方法,其中最大倾斜范围系为0.8度, 而最大水应变系小于0.064百分比。65.如申请专利 范围第62项之方法,其中最大倾斜范围系为0.3度,而 最大水应变系小于0.024百分比。66.如申请专利范 围第60项之方法,其中厚度比系为0.091,而基材厚度 系为1.1毫米。67.如申请专利范围第66项之方法,其 中最大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于0. 117百分比。68.如申请专利范围第66项之方法,其中 最大倾斜范围系为0.8度,而最大水应变系小于0.078 百分比。69.如申请专利范围第66项之方法,其中最 大倾斜范围系为0.3度,而最大水应变系小于0.029百 分比。70.如申请专利范围第58项之方法,其中该相 对湿度之变化系于25℃下40%。71.如申请专利范围 第60项之方法,其中该聚合物系包含热塑料或热固 料。72.如申请专利范围第71项之方法,其中该聚合 物系包含至少一种热塑料。73.如申请专利范围第 72项之方法,其中该热塑料系选自由聚酯、聚碳酸 酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚醯 胺、芳族聚醚诸如聚醚及聚醚醯亚胺、聚醚酮 、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、及其组合物所 组成之群。74.如申请专利范围第73项之方法,其中 该热塑料系包含聚碳酸酯。75.如申请专利范围第 58项之方法,其中该薄膜层系具有介于该基材厚度 之约5百分比至约25百分比范围内之厚度。76.如申 请专利范围第75项之方法,其中该薄膜层系具有介 于该基材厚度之约10百分比至约20百分比范围内之 厚度。77.一种测定资料储存媒体之水应变的方法, 其中该资料储存媒体系包括: 至少一层包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 该方法包括使用下式(II)测定水应变: 其中最大倾斜范围系为1.2度;t系为1.1毫米;系为0 .068;r系为53毫米;且rh系为25℃下之40百分比。78. 一种测定资料储存媒体之水应变的方法,其中该资 料储存媒体系包括: 至少一层包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 该方法包括使用下式(II)测定水应变: 其中最大倾斜范围系为1.2度;t系为1.1毫米;系为0 .091;r系为53毫米;且rh系为25℃下之40百分比。79. 一种使用于资料储存媒体的聚合物,其中该储存媒 体系包括 包含聚合物之基层;及 至少一层资料层; 其中位于储存媒体预定最大倾斜范围之聚合物系 具有由下式(I)所决定之水应变: 其中t系为基材厚度;r系为储存媒体之预定半径;且 rh系为相对湿度之变化。80.如申请专利范围第79 项之聚合物,其中该半径系为53毫米。81.如申请专 利范围第79项之聚合物,其中该相对湿度之变化系 于25℃下40%。82.如申请专利范围第79项之聚合物, 其中该聚合物系包含热塑料或热固料。83.如申请 专利范围第82项之聚合物,其中该聚合物系包含至 少一种热塑料。84.如申请专利范围第83项之聚合 物,其中该热塑料系选自由聚酯、聚碳酸酯、聚苯 乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酮、聚醯胺、芳族 聚醚诸如聚醚及聚醚醯亚胺、聚醚酮、聚醚醚 酮、聚苯醚、聚苯硫醚、及其组合物所组成之群 。85.如申请专利范围第84项之聚合物,其中该热塑 料系包含聚碳酸酯。86.如申请专利范围第79项之 聚合物,其中该基材厚度系介于约0.4毫米及约2.5毫 米之范围内。87.如申请专利范围第86项之聚合物, 其中该基材厚度系为1.2毫米。88.如申请专利范围 第87项之聚合物,其中该最大倾斜范围系为1.2度,而 最大水应变系小于0.06百分比。89.如申请专利范围 第87项之聚合物,其中该最大倾斜范围系为0.8度,而 最大水应变系小于0.04百分比。90.如申请专利范围 第87项之聚合物,其中该最大倾斜范围系为0.3度,而 最大水应变系小于0.015百分比。91.如申请专利范 围第86项之聚合物,其中该基材厚度系为0.6毫米。 92.如申请专利范围第91项之聚合物,其中该最大倾 斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于0.03百分比 。93.如申请专利范围第91项之聚合物,其中该最大 倾斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于0.02百分 比。94.如申请专利范围第91项之聚合物,其中该最 大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于0.0008百 分比。95.一种使用于资料储存媒体的聚碳酸酯,其 中该储存媒体系包括 包含聚碳酸酯之基层;及 至少一层资料层; 其中1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由下式( I)所决定之水应变: 其中t系为1.2毫米;r系为53毫米;且rh系为25℃下40 百分比。96.一种使用于资料储存媒体的聚碳酸酯, 其中该储存媒体系包括 包含聚碳酸酯之基层;及 至少一层资料层; 其中1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由下式( I)所决定之水应变: 其中t系为0.6毫米;r系为53毫米;且rh系为25℃下40 百分比。97.一种使用于资料储存媒体的聚合物,其 中该储存媒体系包括 a)至少一层包含聚合物之基层; b)至少一层位于该基材上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚合物相同之材料;且 其中位于储存媒体预定最大倾斜范围之聚合物系 具有由下式(II)所决定之水应变: 其中t系为基材厚度;系为薄膜层厚度相对于基 层厚度之预定厚度比;r系为储存媒体之预定半径; 且rh系为相对湿度之变化。98.如申请专利范围 第97项之聚合物,其中该半径系为53毫米。99.如申 请专利范围第97项之聚合物,其中厚度比系为0.068, 而基材厚度系为1.1毫米。100.如申请专利范围第99 项之聚合物,其中最大倾斜范围系为1.2度,而最大 水应变系小于0.095百分比。101.如申请专利范围第 99项之聚合物,其中最大倾斜范围系为0.8度,而最大 水应变系小于0.064百分比。102.如申请专利范围第 99项之聚合物,其中最大倾斜范围系为0.3度,而最大 水应变系小于0.024百分比。103.如申请专利范围第 97项之聚合物,其中厚度比系为0.091,而基材厚度系 为1.1毫米。104.如申请专利范围第103项之聚合物, 其中最大倾斜范围系为1.2度,而最大水应变系小于 0.117百分比。105.如申请专利范围第103项之聚合物, 其中最大倾斜范围系为0.8度,而最大水应变系小于 0.078百分比。106.如申请专利范围第103项之聚合物, 其中最大倾斜范围系为0.3度,而最大水应变系小于 0.029百分比。107.如申请专利范围第97项之聚合物, 其中该相对湿度之变化系于25℃下40%。108.如申请 专利范围第97项之聚合物,其中该聚合物系包含热 塑料或热固料。109.如申请专利范围第108项之聚合 物,其中该聚合物系包含至少一种热塑料。110.如 申请专利范围第109项之聚合物,其中该热塑料系选 自由聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸 甲酯、聚酮、聚醯胺、芳族聚醚诸如聚醚及聚 醚醯亚胺、聚醚酮、聚醚醚酮、聚苯醚、聚苯硫 醚、及其组合物所组成之群。111.如申请专利范围 第110项之聚合物,其中该热塑料系包含聚碳酸酯。 112.如申请专利范围第97项之聚合物,其中该薄膜层 系具有介于该基材厚度之约5百分比至约25百分比 范围内之厚度。113.如申请专利范围第112项之聚合 物,其中该薄膜层系具有介于该基材厚度之约10百 分比至约20百分比范围内之厚度。114.一种使用于 资料储存媒体的聚碳酸酯,其中该储存媒体系包括 a)包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于基层上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 其中1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由下式( II)所决定之水应变: 其中t系为1.1毫米;为0.068;r系为53毫米;且rh系 为25℃下40百分比。115.一种使用于资料储存媒体 的聚碳酸酯,其中该储存媒体系包括 a)包含聚碳酸酯之基层; b)至少一层位于基层上之资料层;及 c)至少一层位于该资料层上之薄膜层,其中该薄膜 层系包含物理性质实质上与聚碳酸酯相同之材料; 且 其中1.2度最大倾斜范围之聚碳酸酯系具有由下式( II)所决定之水应变: 其中t系为1.1毫米;为0.091;r系为53毫米;且rh系 为25℃下40百分比。图式简单说明: 图1系以薄膜厚度之函数说明匹配系统之系统倾斜 减少的情况。 图2系使用BPA-PC薄膜说明2,2-双(4-羟基苯基)丙烷(BPA -PC)基材在53毫米下之径向倾斜变化。 |
