| 主权项 |
1.一种有机发光二极体(organic light emitting diode,OLED) 显示面板的制造方法,至少包括: 提供一基板; 形成一薄膜电晶体、一储存电容、一资料线及一 扫描线于该基板上,其中,该资料线与该扫描线交 叠于一交错区(x-over),该储存电容系位于该薄膜电 晶体及该交错区之间,该薄膜电晶体及该储存电容 之间具有一显示区域,该薄膜电晶体具有一源极/ 汲极; 形成一保护层(passivation layer),以覆盖该薄膜电晶 体、该储存电容该资料线、该扫描线及该交错区, 该保护层具有至少一接触孔(contact hole); 形成一阳极于该显示区域内之该保护层上,该阳极 系藉由该接触孔与该源极/汲极电性连接;以及 形成一间隔物(spacer)于该显示区域之外之该保护 层之上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 上述形成一间隔物之步骤另包括: 形成一间隔物于该薄膜电晶体之上。3.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中上述形成一间隔物 之步骤另包括: 形成一间隔物于该储存电容之上。4.如申请专利 范围第1项所述之方法,其中上述形成一间隔物之 步骤另包括: 形成一间隔物于该交错区之上。5.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中上述形成一间隔物之步 骤另包括: 形成一间隔物于该资料线或该扫描线之上。6.如 申请专利范围第1项所述之方法,其中上述形成一 间隔物之步骤另包括: 形成一光阻层于该保护层之上,以覆盖该阳极; 以一光罩定义该光阻层之图案并曝光;以及 以一显影剂去除部分之该光阻层,并形成一间隔物 于该显示区域之外之该保护层之上。7.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中上述形成一间隔物 之步骤另包括: 以蒸镀法、溅镀法、化学气相沈积(chemical vapor deposition,CVD)法或旋转涂布(spin coating)法形成一间 隔物材料层于该保护层之上,该间隔物材料层系覆 盖该阳极; 形成一图案化光阻层于该间隔物材料层上; 以乾蚀刻法或湿蚀刻法去除所暴露之部分的该间 隔物材料层,并形成一间隔物于该显示区域之外之 该保护层之上;以及 以一光阻剥离剂(stripper)去除该图案化光阻层。8. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述形成 一间隔物之步骤后另包括: 形成一电洞注入层(hole injection layer)于该保护层之 上,以覆盖该间隔物及该阳极; 形成一电洞传输层(hole transport layer)于该电洞注入 层上; 形成一有机发光层(organic emission layer)于该电洞传 输层上; 形成一电子传输层(electron transport layer)于该有机 发光层上;以及 形成一阴极(cathode)于该电子传输层上。9.一种有 机发光二极体显示面板的制造方法,至少包括: 提供一基板; 形成一薄膜电晶体、一储存电容、一资料线及一 扫描线于该基板上,其中该资料线与该扫描线交叠 于一交错区,该储存电容系位于该薄膜电晶体及该 交错区之间,该薄膜电晶体及该储存电容之间具有 一显示区域,该薄膜电晶体具有一源极/汲极; 形成一间隔物护层于该基板之上,以覆盖该薄膜电 晶体、该储存电容、该扫描线、该资料线及该交 错区,该间隔物护层具有一接触孔;以及 形成一阳极于该显示区域内之该间隔物护层上,该 阳极系藉由该接触孔与该源极/汲极电性连接。10. 如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述形成 一阳极之步骤后另包括: 形成一电洞注入层于该间隔物护层及该阳极之上; 形成一电洞传输层于该电洞注入层上; 形成一有机发光层于该电洞传输层上; 形成一电子传输层于该有机发光层上;以及 形成一阴极于该电子传输层上。11.一种有机发光 二极体显示面板,至少包括: 一基板; 一资料线及一扫描线,系形成于该基板上,该资料 线及该扫描线系交叠于一交错区; 一薄膜电晶体,系形成于该基板上,并具有一源极/ 汲极; 一储存电容,系形成于该基板上,并位于该薄膜电 晶体及该交错区之间,该储存电容及该薄膜电晶体 之间具有一显示区域; 一保护层,系形成于该基板之上,并覆盖该薄膜电 晶体、该储存电容及该交错区,该保护层具有一接 触孔; 一阳极,系形成于该显示区域内之该保护层上,并 藉由该接触孔与该源极/汲极电性连接;以及 一间隔物,系形成于该显示区域之外之该保护层之 上。12.如申请专利范围第11项所述之有机发光二 极体显示面板,其中该间隔物系形成于该薄膜电晶 体之上。13.如申请专利范围第11项所述之有机发 光二极体显示面板,其中该间隔物系形成于该储存 电容之上。14.如申请专利范围第11项所述之有机 发光二极体显示面板,其中该间隔物系形成于该交 错区之上。15.如申请专利范围第11项所述之有机 发光二极体显示面板,其中该间隔物之材质为光阻 。16.如申请专利范围第11项所述之有机发光二极 体显示面板,其中该间隔物之材质为间隔物材料。 17.如申请专利范围第11项所述之有机发光二极体 显示面板,其中该有机发光二极体显示面板另包括 : 一电洞注入层,系形成于该保护层之上,并覆盖该 间隔物及该阳极; 一电洞传输层,系形成于该电洞注入层上; 一有机发光层,系形成于该电洞传输层上; 一电子传输层,系形成于该有机发光层上;以及 一阴极,系形成于该电子传输层上。18.一种有机发 光二极体显示面板,至少包括: 一基板; 一资料线及一扫描线,系形成于该基板上,该资料 线及该扫描线系交叠于一交错区; 一薄膜电晶体,系形成于该基板上,并具有一源极/ 汲极; 一储存电容,系形成于该基板上,并位于该薄膜电 晶体及该交错区之间,该储存电容及该薄膜电晶体 之间具有一显示区域; 一间隔物护层,系形成于该基板之上,并覆盖该薄 膜电晶体、该储存电容、该资料线、该扫描线及 该交错区,该间隔物护层具有一接触孔;以及 一阳极,系形成于该显示区域内之该间隔物护层上 ,并藉由该接触孔与该源极/汲极电性连接。19.如 申请专利范围第18项所述之有机发光二极体显示 面板,其中该有机发光二极体显示面板另包括: 一电洞注入层,系形成于该间隔物护层及该阳极之 上; 一电洞传输层,系形成于该电洞注入层上; 一有机发光层,系形成于该电洞传输层上; 一电子传输层,系形成于该有机发光层上;以及 一阴极,系形成于该电子传输层上。图式简单说明 : 第1A图绘示乃传统之有机发光二极体显示器的剖 面图。 第1B图绘示乃第1A图之有机发光二极体显示面板之 单一画素的结构剖面图。 第2图绘示乃美国专利案号No. 6,259,304B1中所揭露之 具有封装板、间隔物及有机发光二极体显示面板 之有机发光二极体显示器的剖面图。 第3A~3C图绘示乃依照本发明之实施例一之具有间 隔物之有机发光二极体显示面板之制造方法的流 程剖面图。 第4A~4D图绘示乃依照本发明之实施例二之具有间 隔物之有机发光二极体显示面板之制造方法的流 程剖面图。 第5A~5D图绘示乃依照本发明之实施例三之具有间 隔物护层之有机发光二极体显示面板之制造方法 的流程剖面图。 第6图绘示乃本发明之具有间隔物护层之有机发光 二极体显示面板的部分剖面图。 第7图绘示乃依照本发明之实施例四之具有间隔物 护层之OLED显示面板的部分剖面图。 第8图绘示乃依照本发明之实施例五之具有间隔物 护层之OLED显示面板的部分剖面图。 第9图绘示乃依照本发明之实施例六之具有间隔物 护层之OLED显示面板的部分剖面图。 第10图绘示乃依照本发明之实施例七之具有间隔 物护层之OLED显示面板的部分剖面图。 |
