| 主权项 |
1.一种银合金用蚀刻液组合物,系包含: (A)1至60重量份之过氧化氢; (B)1至60重量份之硫酸;以及 (C)5至90重量份之水; 其中,该银合金中银含量达80%以上。2.如申请专利 范围第1项所述之蚀刻液组合物,其更包含1至20重 量份之铵化合物。3.如申请专利范围第2项所述之 蚀刻液组合物,其中该铵化合物为硫酸铵、醋酸铵 或硝酸铵。4.一种银合金用蚀刻液组合物,系包含: (A)1至60重量份之过氧化氢; (B)5至40重量份之硝酸;以及 (C)5至90重量份之水; 其中,该银合金中银含量达80%以上。5.如申请专利 范围第4项所述之蚀刻液组合物,其更包含1至20重 量份之铵化合物。6.如申请专利范围第5项所述之 蚀刻液组合物,其中该铵化合物为硫酸铵、醋酸铵 或硝酸铵。7.一种银合金用蚀刻液组合物,系包含: (A)1至20重量份之过氧化氢; (B)1至20重量份之铵化合物; (C)1至20重量份之氨基酸;以及 (D)5至90重量份之水; 其中,该银合金中银含量达80%以上。8.如申请专利 范围第7项所述之蚀刻液组合物,其中该铵化合物 为硫酸铵。9.如申请专利范围第7项所述之蚀刻液 组合物,其中该氨基酸为glycine。10.一种银合金之 蚀刻方法,包含以下之步骤: (A)提供一形成有一层具图样之光阻及银合金表面 之基板;以及 (B)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板之银合金或该 光阻表面,或将该具银合金及该光阻之基板浸渍于 该银合金蚀刻液; 其中该银合金蚀刻液包含:1至60重量份之过氧化氢 ;1至60重量份之硫酸;以及5至90重量份之水,且该银 合金中银含量达80%以上。11.如申请专利范围第10 项所述之蚀刻方法,其中该蚀刻液更包含1至20重量 份之铵化合物。12.如申请专利范围第11项所述之 蚀刻方法,其中该铵化合物为硫酸铵、醋酸铵或硝 酸铵。13.一种银合金之蚀刻方法,包含以下之步骤 : (A)提供一形成有一层具图样之光阻及银合金表面 之基板;以及 (B)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板之银合金或该 光阻表面,或将该具银合金及该光阻之基板浸渍于 该银合金蚀刻液; 其中该银合金蚀刻液包含:1至60重量份之过氧化氢 ;5至40重量份之硝酸;以及5至90重量份之水,且该银 合金中银含量达80%以上。14.如申请专利范围第13 项所述之蚀刻方法,其中该银合金蚀刻液更包含1 至20重量份之铵化合物。15.如申请专利范围第14项 所述之蚀刻方法,其中该铵化合物为硫酸铵、醋酸 铵或硝酸铵。16.一种银合金之蚀刻方法;包含以下 之步骤: (A)提供一形成有一层具图样之光阻及银合金表面 之基板;以及 (B)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板之银合金或该 光阻表面,或将该具银合金及该光阻之基板浸渍于 该银合金蚀刻液; 其中该银合金蚀刻液包含:1至20重量份之过氧化氢 ;1至20重量份之铵化合物;1至20重量份之氨基酸;以 及5至90重量份之水,且该银合金中银含量达80%以上 。17.如申请专利范围第16项所述之蚀刻方法,其中 该铵化合物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵铈或硝酸 铵。 |
