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发明名称 MEMORY ARCHITECTURE PERMITTING SELECTION OF STORAGE DENSITY AFTER FABRICATION OF ACTIVE CIRCUITRY
摘要
申请公布号 SG104289(A1) 申请公布日期 2004.06.21
申请号 SG20010007525 申请日期 2001.12.05
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD 发明人 KIM, SU-CHUL;BYUN, HYUN-GEUN;LEE, KWANG-JIN;LEE, JONG-CHEOL;CHO, UKRAE
分类号 H01L21/301;H01L21/82;H01L27/02;H01L27/10;(IPC1-7):G06F17/50 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
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