| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002354318(A1) |
申请公布日期 |
2004.06.18 |
| 申请号 |
AU20020354318 |
申请日期 |
2002.11.29 |
| 申请人 |
SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION |
发明人 |
MASAHARU NINOMIYA;HAZUMU KOUGAMI;ICHIRO SHIONO |
| 分类号 |
C23C16/42;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/165;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/336 |
主分类号 |
C23C16/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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