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发明名称 Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Halbleiterschicht von einem Substrat
摘要
申请公布号 DE19654791(B4) 申请公布日期 2004.06.17
申请号 DE19961054791 申请日期 1996.12.31
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 MATSUNO, YOSHINORI;MORIKAWA, HIROAKI
分类号 H01L21/306;H01L21/311;H01L21/78;(IPC1-7):H01L21/20;H01L31/18 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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