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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Gruppe III-Nitrid-Verbindungshalbleitersubstrats
摘要
申请公布号 DE60004722(T2) 申请公布日期 2004.06.17
申请号 DE2000604722T 申请日期 2000.04.13
申请人 MATSUSHITA ELECTRONICS CORP., TAKATSUKI 发明人 YURI, MASAAKI;IMAFUJI, OSAMU;NAKAMURA, SHINJI;ISHIDA, MASAHIRO;ORITA, KENJI
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L31/18;H01L33/00;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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