Halbleiterspeichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Es werden eine Halbleiterspeichereinrichtung (1) mit Phasenumwandlungsspeichereffekt sowie ein Verfahren zu deren Herstellung vorgeschlagen, bei welchem für ein Speicherelement (E) in einem Halbleitersubstrat (20) jeweils eine Hohlraumanordnung (H) mit mindestens einem Hohlraum (H1, H2) in räumlicher Nähe zum jeweiligen Speicherelement (E) derart vorgesehen wird, dass die thermische Kopplung des jeweiligen Speicherelements (E) zur Umgebung des Speicherelements (E) durch Reduktion der thermischen Leitfähigkeit zwischen Speicherelement (E) und der Umgebung vermindert ausgebildet wird.