发明名称 Verfahren und Gerät zum Erhitzen eines Wafers und Verfahren und Gerät zum Ausheizen eines Photoresistfilms auf einem Wafer
摘要 Um ein Objekt zu erhitzen, wird einem ersten festen Wärmeübertragungsmedium Wärme zugeführt. Die Wärme wird von dem ersten festen Wärmeübertragungsmedium zu einem flüssigen Wärmeübertragungsmedium übertragen, welches in eine Vielzahl von miteinander verbundenen Verdampfungshohlräumen aufgeteilt ist, von denen jeder eine Flüssigkeit enthält. Die Wärme bewirkt, daß die Flüssigkeit in einer Vielzahl von Dampfteilen in der jeweiligen Vielzahl der Verdampfungshohlräume verdampft und die Vielzahl der Dampfteile werden in paralleler Form in einer nach oben verlaufenden Richtung zu dem Objekt geführt. Die Dampfteile kontaktieren ein zweites festes Wärmeübertragungsmedium, um das zweite feste Wärmeübertragungsmedium aufzuheizen, wodurch die Wärme auf das zweite feste Wärmeübertragungsmedium übertragen wird. Das zweite feste Wärmübertragungsmedium ist thermisch mit dem Objekt in Kontakt, um die Wärme von dem zweiten festen Wärmeübertragungsmedium auf das Objekt zu übertragen.
申请公布号 DE10036183(B4) 申请公布日期 2004.06.17
申请号 DE20001036183 申请日期 2000.07.25
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, CHAN-HOON
分类号 G03F7/38;F28D15/02;G03F7/40;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/324;H05B3/20;H05B3/68;(IPC1-7):G03F7/38 主分类号 G03F7/38
代理机构 代理人
主权项
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