| 摘要 |
Die Überschreibungsausdauer eines Flash-Speichers wird verbessert. DOLLAR A Eine erste Zwischenlagenisolierschicht (10) wird auf einer Flash-Speicherzelle ausgebildet, welche in einer Speicherelementzone auf einem Halbleitersubstrat (100) ausgebildet ist. Dabei kommt anstelle einer kurzfristigen Wärmebehandlung mittels Lampenglühung eine Ofenglühung als Wärmebehandlung dazu, nachdem eine NSG-Schicht (16), welche eine oberste Schicht der ersten Zwischenlagenisolierschicht (10) ist, ausgebildet wurde. Dementsprechend wird eine Belastung, mit der die Flash-Speicherzelle beaufschlagt wird, abgebaut und die Überschreibungsausdauer verbessert. Darüber hinaus kommt die Ofenglühung hinzu, nachdem eine erste und eine zweite Aluminiumverdrahtung (21 und 31) ausgebildet wurden. Darüber hinaus wird bei der Ausbildung einer zweiten und dritten Zwischenlagenisolierschicht (20 und 30) eine Abscheidungstemperatur von TEOS-Plasmaschichten (23 und 33) so eingestellt, dass sie dabei gleich der Temperatur von HDP-Schichten (22 und 32) ist. Dementsprechend wird auf diese Weise die Überschreibungsausdauer der Flash-Speicherzelle verbessert.
|
