Signalschicht zur Generierung charakteristischer optischer Plasmaemissionen

摘要

Eine Technik ist bereitgestellt, die zum Verbessern einer optischen Endpunkterkennung in einem Plasmaätzprozess verwendet werden kann. Eine Halbleiterstruktur wird hergestellt, die mindestens ein elektrisches Bauteil enthält. Die Technik ist zur Ausbildung einer Signalschicht auf oder in einem Wafer angepasst, wobei die Signalschicht ein chemisches Element umfasst, welches eine charakteristische optische Emission verursacht, wenn es mit einem Ätzplasma in Kontakt kommt. Das chemische Element hat keinen primkären Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften des zumindest einen elektrischen Bauteils. Die Signalschicht dient zur Verwendung in einem Plasmaätzprozess zum Erkennen eines Plasmaätzendpunktprozesses, wenn die charakteristische optische Emission erkannt wird. Die Signalschicht kann strukturiert sein und kann in einer Stoppschicht enthalten sein.