接触插塞之制造方法

摘要

本发明揭露一接触插塞之制造方法。首先，于一半导体基底上形成有二个闸极结构，并于该整体表面上沉积一第一介电层，接着蚀刻该第一介电层以于该二个闸极结构二侧形成间隙壁，再于半导体基底上形成源／汲极区。然后，沉积一导体层于整体表面上，再移除部分导体层，而保留位于电晶体之源极区与汲极区上方之导体层。最后，沉积一第二介电层于半导体基底、电晶体与保留之导体层之上方。