制造磁性随机存取记忆体之磁性隧道接面单元的方法

摘要

一种制造磁性随机存取记忆体(MRAM)之磁性隧道接面单元的方法将予揭示，其中该记忆体使用一半导体膜做为隧道障碍层。该方法包含下列步骤：在一连接层上形成一固定铁磁层；在固定铁磁层上使用一半导体膜形成隧道障碍层；以及在隧道障碍层上形成一自由铁磁层。