形成相变之记忆体

摘要

本发明在一些例子，藉由形成具有平面状构形的相变材料层(14)，使相变记忆体(10)呈现改良性质及较低成本。加热器(16)可设置于相变材料层(44)之下，以适当地加热该材料(14)以引发相变。加热器(16)可耦合至一适当的导体。