发光二极体结构

摘要

一种发光二极体结构，包括一基底。一n型第一束缚层形成于该基底上。一第一n型电极形成于该第一束缚层上一凹陷区域。一第一主动层形成于第一束缚层上。一p型第二束缚层形成于第一主动层上。一穿隧层形成于第二束缚层上。一n型第三束缚层形成于穿隧层上。一第二n型电极形成于该n型第三束缚层上一凹陷区域。一第二主动层形成于第三束缚层上。一p型第四束缚层形成于第二主动层上。一p型第三电极形成于第四束缚层上。其中穿隧层可包括一超晶格穿隧层，免除p型第二束缚层与n型第三束缚层之间具整流特性之pn结合面的形成。电压可透过一第二n型电极，施加给p型第二束缚层。