半导体元件中之浅沟隔离结构形成方法

摘要

一种半导体元件中之隔离沟渠结构形成方法，包括下列步骤：形成一第一氧化矽层、一第一罩幕阻障层、一第二氧化矽层和一第二罩幕阻障层依序排列在矽基板上；进行光蚀微影非等向性蚀刻以形成沟渠于矽基板中；使用一种氧化矽材料，填满该沟渠；以及依序地移除第二罩幕阻障层、第二氧化矽层、第一罩幕阻障层和第一氧化矽层。