| 摘要 |
一种制造金属氧化物半导体之方法(500)。将金属氧化物半导体之闸极构造蚀刻(510)。将一含氮气体，可为NO或N2O，流过该金属氧化物半导体(520)。将一植入前薄膜(620)生成于该闸极构造之边缘。该植入前薄膜可以修补因为蚀刻过程所造成之闸极叠层边缘的破坏。该薄膜大致上可为氮化矽。好处系该薄膜可以比知的氧化矽薄膜更薄。较薄的薄膜不会在通道氧化物中造成不好的不均匀性。不均匀的通道氧化物可能会造成闸极和通道间的不均匀的场。不均匀的场可能造成许多不好的影响。本发明之实施例有利地克服先前技术于修补闸极叠层边缘缺陷上的缺点。在此创新的方法中，得以实际地修补闸极叠层边缘缺陷，而不会对金属氧化物半导体之电气特性造成有害的影响。将氮化矽应用于此之新颖的应用可形成薄的修补层。有好处的系使用本发明之实施例所制造的半导体可利用更小的制程特征尺寸，造成半导体装置之更高密度之阵列，俾以使该种装置有较低成本并且藉由在此说明之技术改良使实行者实现竞争之优势。 |
