非挥发性半导体记忆装置之制造方法及非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明可避免发生层间绝缘膜之埋入不良。其系在形成于控制闸极CG上之矽氧化膜206之侧壁部分形成平坦形状之侧壁212。藉由具有该侧壁212，在由控制闸极CG与漂浮闸极FG构成之记忆胞之间，埋入层间绝缘膜150时，层间绝缘膜150容易进入，不易发生层间绝缘膜150之埋入不良。