多位元快闪记忆体及其制造方法

摘要

一种多位元快闪记忆体，此多位元快闪记忆体是由控制闸极、闸间介电层、浮置闸极、穿隧氧化层、源极区与汲极区以及通道区所构成。其中，在浮置闸极中设置有隔离区，且隔离区使浮置闸极分离成复数个导电区块，而形成导电区块阵列，此导电区块阵列从源极区至汲极区之方向系为列的方向，每一列都具有两个导电区块。此多位元快闪记忆体在未写入资料之状态下，同一列之导电区块下方之通道区具有相同启始电压，不同列之导电区块下方之通道区则具有不同之启始电压。