动态随机存取记忆体之位元线结构以及其形成方法

摘要

本发明揭示一种形成动态随机存取记忆体之位元线的方法，包括：提供一其上形成有一第一介电层以及贯穿该介电层之一位元线接触孔的半导体基板；以导电材料填充该位元线接触孔形成一第一导电层并回蚀刻该第一导电层，使该第一导电层之表面低于该第一介电层；以等向性蚀刻将该位元线接触孔之开口扩大形成一第一开口；以导电材料填入该第一开口形成一位元线接触台；全面性形成一第二介电层于该第一介电层而覆盖该位元线接触台；在一既定位置形成一周边电路区接触孔，且同时在第二介电层定义第一位元线沟槽，露出该位元线接触台；在第二介电层中定义第二位元线沟槽露出该周边电路区之接触孔；以及以导电材料填充该周边电路区之接触孔、该第一位元线沟槽以及该第二位元线沟槽，分别形成周边电路接触以及第一位元线以及第二位元线。