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发明名称
具测试埋入式DRAM电路之BIST电路之模组测试控制器MODULAR TEST CONTROLLER WITH BIST CIRCUITS FOR TESTING EMBEDDED DRAM CIRCUITS
摘要
具测试埋入式DRAM(eDRAM)电路之BIST(内建自我测试)电路之模组测试控制器系被提供。该测试控制器包含用于执行测试之BIST核心,该BIST核心包含被证实测试演算法;用于接合该BIST核心及外部测试器之可选测试器介面;及用于接合该BIST核心及埋入式DRAM之可选埋入式DRAM介面,该埋入式DRAM包含复数个可储存资料之记忆体胞元。本发明使半导体装置设计者得以保持一测试流程及再使用多重ASIC(特定应用积体电路)产品/世代之被证实BIST核心。
申请公布号
TW200409930
申请公布日期
2004.06.16
申请号
TW092130629
申请日期
2003.11.03
申请人
亿恒科技股份公司
发明人
托马斯伯勒尔
分类号
G01R31/28;G11C29/00
主分类号
G01R31/28
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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