应用于多工分波之共振腔元件阵列及其制造方法

摘要

一种应用于多工分波之共振腔元件阵列及其制造方法，系于共振腔元件之磊晶结构中形成选择性氧化结构，其包含一个以上之砷化铝镓(AlxGal–xAs)氧化调整层；藉由砷化铝镓(AlGaAs)于氧化之后会形成氧化铝镓(AlGaO)而改变其折射率与厚度，来改变与控制共振腔元件的波长；每一共振腔元件的波长改变量系由选择性氧化结构所含之砷化铝镓(AlxGal–xAs)氧化调整层的层数、厚度与组成来决定。