浅槽与深槽隔离结构的制造方法

摘要

一种浅槽(Shallow Trench；ST)与深槽(DeepTrench；DT)隔离(isolation)结构的制造方法，结合化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing；CMP)法和其它沉积、光刻与蚀刻的工艺，来制造具有高平坦度填充物表面的隔离结构。本发明浅槽与深槽隔离结构的制造方法在进行深槽的光刻工艺时，可提供较大的工艺界面(process window)。本发明可增加元件的集成度，特别适用于双极互补型金属氧化物半导体(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor；BiCMOS)晶体管和CMOS晶体管。本发明可降低BiCMOS晶体管的电容值，特别有利于高频的集成电路(IC)元件的制作。

主权项

1.一种浅槽与深槽隔离结构的制造方法，至少包括：提供一基材；于该基材上形成一浅槽，其中该基材上已形成有一第一介电层，并暴露出该浅槽；形成一第二介电层以填满该浅槽并覆盖该第一介电层，其中该第二介电层具有一厚度；平坦化该第二介电层直至约距离该第一介电层的上方一高度；在该基材中形成一深槽；形成共形的一第三介电层，借以覆盖该深槽的上表面及侧壁；形成一非导电层，借以填满该深槽和该浅槽；回蚀该非导电层直至约低于该基材的一上表面；去除该第三介电层的一部分，借以暴露出该第二介电层；于该非导电层上形成一第四介电层，并填满该深槽和该浅槽；平坦化该第四介电层和该第二介电层直至约与该基材的该上表面等平面；以及去除该第一介电层。