| 发明名称 | 一种缩小元件临界尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种缩小半导体元件临界尺寸的方法，包含有下列步骤：于一半导体层上形成一光阻层，其已至少经过曝光显影处理，构成一暴露出部分该半导体层的第一图案；进行一全面曝光(blanket exposure)步骤，以该光阻层可吸收光波长的光线照射该光阻层以及暴露出的该半导体层，以提供该光阻层一预定能量，产生光质子酸；进行一第一热制程，使前一步骤中在该光阻层产生的光质子酸进行炼反应，并且均一化该光阻层的玻璃转化温度(T<SUB>g</SUB>)；然后进行一第二热制程，其中该第一热制程是在一低于该玻璃转化温度(T<SUB>g</SUB>)的温度下进行的。 | ||
| 申请公布号 | CN1505101A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN03109335.3 | 申请日期 | 2003.04.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林思闽;黄慧玲 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种缩小半导体元件临界尺寸的方法，包含有下列步骤：在一半导体层上形成一光阻层，其已至少经过曝光显影处理，构成一暴露出部分该半导体层的第一图案；进行一全面曝光(blanket exposure)步骤，以该光阻层可吸收光波长的光线照射该光阻层以及暴露出的该半导体层，以提供该光阻层一预定能量，使产生光质子酸；进行一第一热制程，使前一步骤中在该光阻层产生的光质子酸进行炼反应或扩散，并且均一化该光阻层的玻璃转化温度(Tg)，其中该第一热制程是在一低于该玻璃转化温度(Tg)的温度下进行的；以及进行一第二热制程。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||