发明名称 镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件
摘要 本发明提供了一种镉铁复合氧化物气敏半导体材料和气敏元件,镉、铁的摩尔比为0.25-1.00。本发明材料可以直接作为气敏材料,又可作为气敏基体材料以不同掺杂进行改性制成气敏元件。本发明对乙炔、乙醇等气体灵敏度高,保持灵敏度的工作范围宽,选择性好,响应、恢复快,稳定性好,适合于一般乙炔、乙醇等气体检漏,特别是适合于变压器绝缘油中低浓度乙炔气体的在线检测。
申请公布号 CN1153961C 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN97112634.8 申请日期 1997.06.16
申请人 中国科学技术大学 发明人 刘杏芹;徐正良;沈瑜生
分类号 G01N27/12 主分类号 G01N27/12
代理机构 代理人
主权项 1.一种气敏半导体材料,其特征在于该气敏半导体材料由镉铁CdO-Fe2O3复合氧化物或以此为基础掺入物质制成,其中镉、铁的摩尔比为0.25~1.00。
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