晶体管和非易失半导体存储器

摘要

一种包括源-漏区、沟道区、浮栅和控制栅的存储单元。所述浮栅被彼此靠近地布置在栅绝缘层上沟道区的上方，控制栅被布置在一个绝缘层和另一个绝缘层上浮栅的上方，这两个层都是用LOCOS方法形成的。利用所述绝缘层在浮栅的上角形成突起部分。控制栅的中心部分被置于绝缘层上所述沟道区的上方以形成选择栅。选择晶体管包括在两个源-漏区之间的这个选择栅。

主权项

1.一种包括其中被注入电荷的浮栅的晶体管，包括：在一个半导体基片上形成的两个源-漏区，在所述半导体基片上形成的一个绝缘层，在所述绝缘层上彼此距离很近且分开地形成并置于两个源-漏区之间的两个浮栅，和置于两个浮栅较上层的公共控制栅，其中，每个浮栅和半导体基片之间的电容被设置得大于每个浮栅和控制栅之间的电容。