| 发明名称 | 垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。 | ||
| 申请公布号 | CN1505006A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310118358.6 | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝;昭和电工株式会社 | 发明人 | 岩崎刚之;彥坂和志;及川壮一;中村太;酒井浩志;清水谦治;坂脇彰 |
| 分类号 | G11B5/66 | 主分类号 | G11B5/66 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种制造垂直磁记录介质(10)的方法，其特征在于包括：通过使用包含至少一种从包括钴、铂、钼和钨的组中选择的添加成分的磁层形成材料，在280-450℃下在非磁性基片(1)上形成磁层(2)，所述磁层构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||