高密度MRAM单元阵列

摘要

制造MRAM单元(10)的方法包含在半导体基底(11)上提供隔离晶体管(12)，以及在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠(13)。在堆叠的上端形成通孔(14)，以便从数元线(15)下面的位置延伸到数元线上面的位置。通孔还在电介质层(20)的上表面上延伸以提供对准键。MTJ存储器单元位于与通孔接触的上表面，并且使用侧壁隔层和选择性蚀刻从磁材料的栓固边缘的端部分隔磁材料自由层的端部。

主权项

1.一种制造紧凑磁阻随机访问存储器单元的方法，包括的步骤有：提供在其上具有隔离晶体管的半导体基底；在基底上形成与晶体管的一个端子连通的互连堆叠；在与互连堆叠的上端相邻的位置设置位线；和在互连堆叠的上端形成通孔，以便从位线下面的位置延伸到位线上面的位置。