发明名称 | 电流传感放大器 | ||
摘要 | 集成电路中的存储器包含有一电流传感放大器。该电路传感放大器包含一第一和第二输入三极管,它带有交叉连接的栅极和漏极,每个三极管均具有一源极,它与存储器位线路中的相应一个相连。来自第一和第二输入三极管的漏极的电流被分别引导至第一和第二负载三极管的源极-漏极沟道。第一和第二输入三极管的漏极分别通过第一和第二负载三极管的源极-栅极连线与一共用节点相连。前述第一和第二负载三极管的栅极/源极电压降的方向被设置成与互补位线和共用节点之间的第一和第二输入三极管的栅极/源极电压降的方向相反。 | ||
申请公布号 | CN1154113C | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
申请号 | CN99805337.6 | 申请日期 | 1999.12.13 |
申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | E·塞文克;L·P·贝勒弗罗伊德;R·赛加尔 |
分类号 | G11C7/06;G11C11/419 | 主分类号 | G11C7/06 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;傅康 |
主权项 | 1、一种包括存储器的集成电路,所述存储器带有:存储器位线;一第一和第二输入三极管,它们具有交叉连接的栅极和漏极,每个三极管均具有一源极,它与存储器位线中的相应一个相连;一共用节点;一第一和第二负载三极管,第一和第二输入三极管的漏极分别通过第一和第二负载三极管的源极-栅极连线与上述共用节点相连;电流传递接头,它们分别位于上述第一和第二输入三极管的漏极与上述第一和第二负载三极管的源极-漏极沟道之间;其特征在于,前述第一和第二负载三极管的栅极/源极电压降的方向被设置成与存储器位线和共用节点之间的第一和第二输入三极管的栅极/源极电压降的方向相反。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |