发明名称 磨粒及用该磨粒的半导体块的切片方法
摘要 一种半导体块的切片方法,在多个间隔保持用辊(5)之间配置由供丝轴(8)供给的钢丝(6),通过边用卷取轴卷取边供给在溶液中混合有磨粒的料浆,对半导体块进行切片。作为上述磨粒,使用线性度在1.4~2.4的范围内、平均体积粒径在-2μm~+1μm的磨粒的总体积为总磨粒体积的65%以上的SiC。不仅能够提高初期的切削性,而且还能够维持该切削性,提高生产性。
申请公布号 CN1504309A 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN200310118127.5 申请日期 2003.11.25
申请人 京瓷株式会社 发明人 西泽孝昭
分类号 B28D5/00 主分类号 B28D5/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱丹
主权项 1.一种磨粒,在从半导体块切出一定厚度的晶片时使用的切削液中采用,其特征在于:磨粒的成分是SiC;对应于磨粒的平均体积的粒径即平均体积粒径在6~16μm范围内,粒子的线性度在1.4~2.4范围内的磨粒具有70体积%以上。
地址 日本京都府