| 发明名称 |
Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter and base |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1289005(A3) |
申请公布日期 |
2004.06.16 |
| 申请号 |
EP20020018974 |
申请日期 |
2002.08.26 |
| 申请人 |
NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES, LTD. |
发明人 |
IGARASHI, TOMOHIRO |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/08;H01L29/423 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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