发明名称 浅沟渠隔离结构的制造方法
摘要 一种浅沟渠隔离结构的制造方法,此方法在基底上依序形成垫氧化层和罩幕层,再依序定义垫氧化层、罩幕层和部分基底以形成沟渠,接着,在沟渠内表面与罩幕层表面形成共形的缓冲层,再将缓冲层转变为氧化物层,然后,于浅沟渠内与基底上形成绝缘层以填满沟渠,再移除沟渠之外的绝缘层与氧化物层直至暴露出罩幕层表面,最后再移除罩幕层及垫氧化层以形成浅沟渠隔离结构。
申请公布号 CN1505131A 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN02155537.0 申请日期 2002.12.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 李俊鸿
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1、一种浅沟渠隔离结构的制造方法,其特征在于:包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一垫氧化层和一罩幕层;依序定义该垫氧化层、该罩幕层和部分该基底以形成一沟渠;在该沟渠的内表面与该罩幕层表面形成共形的一缓冲层;将该缓冲层转变为一氧化物层;于该沟渠内与该基底上形成一绝缘层以填满该沟渠;移除该沟渠之外的该绝缘层与该氧化物层,直至暴露出该罩幕层表面;以及移除该罩幕层及该垫氧化层。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号