| 发明名称 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括衬底和MISFET，MISFET包括在衬底中形成的源极－漏极区和在衬底上形成的栅电极，并且栅极绝缘膜介于它们之间。该栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链的金属氮氧化合物膜形成。可选地，栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链和硅－氧－氮键链中至少一种的渗氮金属硅酸盐膜形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1505171A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310119783.7 | 申请日期 | 2003.12.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小山正人;西山彰;中崎靖;铃木正道;上牟田雄一;金子明生 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底；以及MISFET，其包含在衬底中形成的源极-漏极区，在衬底上形成的栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜上形成的栅电极，该栅极绝缘膜包含金属氮氧化合物膜，该金属氮氧化合物膜包含金属-氧-氮键链。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||