| 发明名称 | 氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体薄膜、强电介体存储元件、强电介体压电元件。本发明使用超临界流体形成强电介体膜。超临界流体例如是包含强电介体的构成元素的临界压力以上且在4倍临界压力以下的流体。 | ||
| 申请公布号 | CN1505117A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310119519.3 | 申请日期 | 2003.12.01 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健;名取荣治 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种氧化物薄膜的制造方法，其特征在于：采用超临界流体作为介质。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||