发明名称 等离子体处理方法及等离子体处理装置
摘要 本发明提供一种等离子体处理方法,可提高判断装置的运转状态、被处理体的处理状态时的精度。在对晶片进行等离子体处理时,利用光学测量器(120)取得从等离子体发出的光的光谱作为光学数据。然后,使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库(206)中发出的各发光种的基准数据,由所取得的光学数据求出各发光种的定量数据。接着,监视各发光种的定量数据,根据各发光种的定量数据的变化来判断等离子体处理装置的运转状态、晶片的处理状态。由此,根据由宽范围的波长带构成的等离子体的发光光谱,可以判断装置的运转状态、晶片的处理状态。
申请公布号 CN1505113A 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN200310118222.5 申请日期 2003.12.05
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 王斌;三村裕一
分类号 H01L21/3065;H01L21/00;H05H1/00 主分类号 H01L21/3065
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种等离子体处理方法,在利用等离子体处理装置对处理室内的被处理体进行等离子体处理时,解析从等离子体发出的光,根据其解析结果,监视等离子体处理装置的运转状态和/或被处理体的处理状态,其特征在于:具有:在对所述被处理体进行等离子体处理时、取得从等离子体发出的光的发光光谱作为光学数据的工序;使用从存储多个发光种的发光光谱作为基准数据的数据库发出的各发光种的基准数据、由所取得的所述光学数据求出各发光种的定量数据的工序;和监视所述各发光种的定量数据、根据各发光种的定量数据的变化、判断等离子体处理装置的运转状态和/或被处理体的处理状态的工序。
地址 日本东京都