非易失性存储单元及非易失性半导体存储装置

摘要

本发明的目的在于，不会伴随存储单元阵列整体面积的增加，即可降低存储单元的选择晶体管的通态电阻，达成存储单元的存储数据的读出操作的高速化及稳定操作。为此，具备多个根据电阻变化可以存储信息的可变电阻元件(2)；连接各可变电阻元件(2)的一端之间，由共同选择多个可变电阻元件(2)的MOSFET或二极管元件构成的选择元件(3)的一个电极与各可变电阻元件(2)的上述一端连接，构成存储单元(1)。

主权项

1.一种非易失性存储单元，其特征在于，具备：多个根据电阻变化可以存储信息的可变电阻元件；及共同选择所述多个可变电阻元件的选择元件，所述各可变电阻元件的一端之间互相连接，所述选择元件的一个电极与所述各可变电阻元件的所述一端连接。