| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。其目的是将由金属氧化物构成的高电介质膜应用于栅绝缘膜或者电容绝缘膜中。在半导体衬底(11)的元件形成区域上，形成由氧化硅构成的底层绝缘膜(13)、由氧化铪构成的栅绝缘膜(14)、由多晶硅构成的栅电极(15)及由氧化硅构成的侧壁(18)，在半导体衬底(11)中的元件形成区域的上部上分别由注入形成源－漏区(17)及扩展区(16)。然后，调整半导体衬底(11)的扫描速度、激光的脉冲间隔及峰值功率，进行0.1秒钟的激光照射，使得仅在半导体衬底(11)的表面附近的温度为1150℃～1250℃那样，进行对栅绝缘膜(14)的热处理及对源－漏区(17)的热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1505114A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310113827.5 | 申请日期 | 2003.10.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 久保田正文;林重德 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/283;H01L21/336;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：具备：在衬底上形成由高电介质构成的绝缘膜的第1工序；以及在形成了所述绝缘膜的衬底上，照射光的第2工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||