| 发明名称 | 制备窄掺杂剖面高性能半导体器件的结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种制备NPN异质结双极晶体管(100)的结构和方法包括含用于形成晶体管基极区杂质(86)的第一区域(82)的半导体衬底。临近第一区域的第二区域被用于形成晶体管的发射极区。填隙俘获材料(81)减少了后续热处理时基极区域的杂质扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1505168A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310118687.0 | 申请日期 | 2003.11.28 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 加里·H·罗切尔特 |
| 分类号 | H01L29/737;H01L21/331 | 主分类号 | H01L29/737 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种NPN异质结双极晶体管(100)，其特征在于有半导体衬底(11)，所述衬底(11)具有含第一杂质(86)用于形成所述晶体管的基极区(82，36，61)的第一区域(82)，和与所述第一区域相邻，包括填隙俘获材料(81)的第二区域(84)。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||