| 发明名称 | 硅化处理过程中有选择地清除层的清洗液及方法 | ||
| 摘要 | 一种有选择地清除氮化钛层和非反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。 | ||
| 申请公布号 | CN1505106A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN200310119797.9 | 申请日期 | 2003.12.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金相溶;李根泽 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/306;H01L21/44;H01L21/465 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种在制造半导体器件过程中有选择地清除金属层的方法，包括：使用清洗液清除金属层，清洗液包括酸液和含碘氧化剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||