发明名称 金属与半导体接触电容热电池
摘要 本发明公开了一种由MOS电容器和肖特基势垒二极管组成的静态电源装置。MOS电容器与二极管同性极板相连,电子扩散的结果使MOS电容器充电,这就使二极管加上了反向偏置电压。加热MOS电容器电流向相反的方向流动,在MOS电容器极板形成工作电压。只要不断地加热,热电池就能把热能转化为电能。它可以把太阳能、地热能、生产和生活中的热能转化为电能并进行循环利用,消除能源的消费带来的污染,以此达到可持续发展目的。
申请公布号 CN1505175A 申请公布日期 2004.06.16
申请号 CN02152398.3 申请日期 2002.12.05
申请人 石运达 发明人 石运达;张金锋;石钟艳
分类号 H01L33/00;H01L49/00;H02N11/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 1、一种由一种载流子经过加热改变电流方向的静态电源装置,其特征为将MOS电容器M极板连接肖特基势垒二极管的金属端电极,MOS电容器半导体电极S连接肖特基势垒二极管的半导体电极,MOS电容器N型半导体极板S中的电子通过肖特基势垒二极管向金属极板扩散,扩散的结果是MOS电容器的金属极板带负电,半导体极板带正电,这就使与之同性相连的肖特基势垒二极管在反向偏压和加热的条件下,将改变电流方向,电子将从金属极板M流向半导体电极S,电子反向运动的结果,在MOS电容器极板两面形成工作电压,使电子从S极板经电阻流向M极板,整个装置成为电源。
地址 114225辽宁省鞍山市腾鳌特区名甲村