发明名称 |
半导体器件及其制造方法、电路板、电光装置及电子仪器 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电路板、电光装置及电子仪器。该半导体器件具有电极、由树脂形成并且比电极还突出的多个突起体(4)和电连接在电极上并且到达突起体(4)的上面的导电层(5)。该制造方法包括:在半导体器件(1)上避开电极形成树脂层(4a)的工序;在电极上及树脂层(4a)上,按照突起体(4)对导电层(5)构图的工序;以构图的导电层(5)为掩模,除去位于导电层(5)之间的树脂层(4a),形成突起体(4)的工序。 |
申请公布号 |
CN1505105A |
申请公布日期 |
2004.06.16 |
申请号 |
CN200310118053.5 |
申请日期 |
2003.11.24 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
伊东春树 |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/60;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制造方法,用于制造具有电极、比所述电极还突出并且由树脂按规定的图案而形成的多个突起体、电连接在所述电极上并且到达所述突起体上表面的导电层的半导体器件,其特征在于:包括:在所述半导体器件上避开所述电极形成所述树脂层的工序;在所述电极上和所述树脂层上,按照所述突起体的所述规定的图案对所述导电层构图的工序;以构图的所述导电层为掩模,除去位于所述导电层之间的树脂层,形成所述突起体的工序。 |
地址 |
日本东京 |