包含多层旋涂多孔介电质的低K互连结构

摘要

本发明提供一种不具微沟槽的低k介电质金属半导体互连结构与形成该结构的方法。具体来说，上述结构是通过提供一互连结构来获得的，此一互连结构包括至少一种在单一自旋应用工具中持续施加，然后在单一步骤中固化的多层介电质材料，以及多层旋涂介电质内的多个图案化的金属导体。导体电阻的控制是通过使用掩埋的蚀刻终止层来获得的，此一掩埋的蚀刻终止层具有位于线与多孔低k介电质的通路介电质层间的第二原子组成，而其中多孔低k介电质具有第一原子组成。本发明的互连结构还包含一种辅助形成双镶嵌型的互连结构的硬质掩模。从具有特定原子组成与其它测得值的多孔低k有机或无机材料的特定组中，选择第一与第二组成，以获得至少10至1，或更高的蚀刻选择性。

主权项

1.一种互连结构，包括：一基板，其具有形成于其上的图案化的多层介电质，该图案化的多层介电质包含通过掩埋的蚀刻终止层彼此分离的第一与第二多孔低k介电质，该第一与第二多孔低k介电质具有第一组成，而该掩埋的蚀刻层则具有不同于第一组成的第二组成；一抛光终止层，其形成于该图案化的多层旋涂介电质上的该第二多孔低k介电质上面；以及一金属导体，其形成于该图案化的多层介电质内。