蚀刻有机抗反射涂层(ARC)的方法

摘要

本发明公开了蚀刻有机涂层，尤其是抗反射涂层(ARC)的两步法。在主蚀刻过程中，使用由第一源气体产生的等离子体蚀刻有机涂层，此第一源气体包括氟碳化合物以及不含碳的含卤素的气体。使用第一基片偏压功率进行蚀刻。在过蚀刻步骤中，通过将基片暴露于由第二源气体产生的等离子体中、将主蚀刻之后剩余的残留有机涂层材料去除掉，此第二源气体包括含氯的气体、含氧的气体，不包括形成聚合物的气体。使用比第一基片偏压功率小的第二基片偏压功率进行蚀刻。在主蚀刻步骤中，第一源气体和第一基片偏压功率在密集部件区域比在孤立部件区域提供了更高的蚀刻速度，而在过蚀刻步骤中，第二源气体和第二基片偏压功率在孤立部件区域比在密集部件区域提供了更高的蚀刻速度，其产生了整体匀衡的效果。

主权项

1.一种蚀刻有机涂层的方法，它包括以下步骤：a)主蚀刻步骤，其中，使用第一源气体产生的等离子体，基本上蚀刻所述有机涂层的整个厚度，所述第一源气体包括氟碳化合物气体以及不含碳的含卤素气体；和b)过蚀刻步骤，其中，通过将所述残留的有机涂层材料暴露于第二源气体产生的等离子体中，从而去除所述主蚀刻步骤之后剩余的残留有机涂层材料，所述第二源气体包括含氯的气体、含氧的气体和惰性气体。