晶片缺陷检查及特性分析的方法

摘要

本发明提出一种晶片缺陷检查及特性分析的方法，以检查工具与特性分析工具的两坐标系统的一坐标转换矩阵来准确地在两坐标系统中转换传递晶片缺陷坐标位置，因此特性分析工具可准确地驱动至缺陷位置并分析缺陷特性。在一晶片进行标准工艺前先形成用以定位对准晶片的几个对准记号，而后以对准记号在一检查工具的坐标系统与一特性分析工具的坐标系统的坐标资料来获得两坐标系统的坐标转换矩阵。

主权项

1.一种晶片缺陷检查及特性分析的方法，其可在晶片阶段自动地定位缺陷位置及分析缺陷特性；该方法至少包括：在一晶片进行标准集成电路工艺前，在该晶片边界周围附近形成至少一对准记号；在该晶片进行标准集成电路工艺后，将这些对准记号在一检查工具的坐标系统与一特性分析工具的坐标系统的坐标数据经由一简单代数运算，求得该检查工具的坐标系统至该特性分析工具的坐标系统的一坐标转换矩阵；以及以该坐标转换矩阵为转换基础，将该检查工具取得该晶片的一缺陷的坐标由该检查工具的坐标系统转换至该特性分析工具的坐标系统，依此方式该特性分析工具可准确地驱动至该缺陷位置并分析该缺陷特性，且利用该坐标转换矩阵可使该检查工具的坐标系统与该特性分析工具的坐标系统作来回转换，以使晶片检查与分析的步骤自动化。