| 发明名称 | 去除深沟渠剑山的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除深沟渠剑山的方法，是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山，其步骤包含：于该晶片正面覆上一光阻层；对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山；对该晶片进行一第一蚀刻制程，该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程，利用蚀刻液可由晶片背面回蚀到晶片正面的作用，去除该剑山；对该晶片进行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程，利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅(SiN)薄片；以及将该晶片正面的光阻层去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1505111A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN02152651.6 | 申请日期 | 2002.11.28 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 倪志荣;江家興;刘岳良 |
| 分类号 | H01L21/306 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种去除深沟渠剑山的方法，是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山，其特征在于，包括以下步骤：于该晶片正面覆上一光阻层；对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山；对该晶片进行一第一蚀刻制程，该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程，利用蚀刻液可由该晶片背面回蚀到该晶片正面的作用去除该剑山；对该晶片进行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程，利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅薄片；以及将该晶片正面的光阻层去除。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||