| 发明名称 | Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法，包括如下制备步骤：(1)用一衬底，使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直；(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜，在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。 | ||
| 申请公布号 | CN1154155C | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN01100454.1 | 申请日期 | 2001.01.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈振;陆大成;刘祥林;王晓晖;袁海荣;王占国 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：(1)用一衬底，使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直；(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜，在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||