| 主权项 |
1.一种具有不对称护层的发光二极体结构包含:具有一薄之多孔表面层或者是上图样之多孔结构的蓝宝石基体以控制一四元素InAlGaN缓冲层的长晶过程(nucleation process),而且减少产生的应变;一四元素InAlGaN缓冲层;一n型GaN层;一穿隧障壁及电子散布层,位在电子发射层及活性层之间由三五族材料所形成;一由三五族材料所制造的活性层,其产生一或多个电子及电洞之位能井,在此结构中产生电子及电洞的辐射性再结合;一由P型AlGaN制造的电洞发射层;一由P型InGaN制造的P型接触层;以及一与该电洞发射层接触的金属欧姆接点。2.如申请专利范围第1项之结构,其中该活性层的厚度介于5到50埃之间,且活性层的宽度在5埃到0.1m之间;而电洞发射层的宽度介于50埃到1m之间,且P型接触层的宽度介于50埃到1m之间。3.如申请专利范围第1项之结构,其中加入一由n型或未掺杂三五族材料制造的电子发射层,且产生一位能井及用于该等电子的电子累积层。4.如申请专利范围第1项之结构,其中该由雷射扫描,电浆蚀刻,及/或应用一光罩进行化学蒸汽蚀刻产生该多孔表面层或上图样之结构。5.如申请专利范围第1项之结构,其中该结构为一不对称结构。6.如申请专利范围第1项之结构,其中使用一产生应变的超晶格以停止贯穿到活性区的螺旋性变位,且改善该结构的光抽性。7.如申请专利范围第1项之结构,其中使用具侧面局限之活性区以减少载体的非辐射性结合。图式简单说明:第一图及第二图系为传统之LED结构。第三图至第九图系依据本发明之LED结构之实施例图。 |
