| 主权项 |
1.一种焊接凸块之形成方法,包括下列步骤:提供一晶片,其上已形成至少一焊垫;在该晶片上方覆盖一保护层,其中该保护层大体露出该焊垫;在该露出的焊垫上方形成一凸块底层金属层;在该保护层上方依序形成一介电层及一阻剂层,其中该介电层具有一第一开口以露出该凸块底层金属层且该阻剂层具有一第二开口位于该第一开口上方;在该第一及该二开口中的该凸块底层金属层上形成该焊接凸块;以及去除该阻剂层。2.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中形成该焊接凸块,更包括下列步骤:在该第一及该二开口中填入一导电材料;以及实施一回焊程序,使该导电材料转为该焊接凸块。3.如申请专利范围第2项所述之焊接凸块之形成方法,其中该导电材料包含锡。4.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中该凸块底层金属层包含下列之任一种:钛、铬镍、钒、铜、铝、金、及其合金。5.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中该介电层系由光敏性高分子材料所组成。6.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中该介电层系由聚亚醯胺(polyimide)所组成7.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中该阻剂层系由湿式光阻或乾式光阻所组成。8.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块之形成方法,其中该第一及该第二开口系构成一上宽下窄之T型开口。9.一种焊接凸块结构,包括:一晶片,其上已设置有至少一焊垫;一保护层,设置于该晶片上且大体露出该焊垫;一凸块底层金属层,设置于该露出的焊垫上方;一介电层,设置于保护层上方并具有一开口而露出该凸块底层金属层;以及一蕈型凸块,设置于该开口中且部分覆盖该介电层。10.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块结构,其中该凸块底层金属层包含下列之任一种:钛、铬、镍、钒、铜、铝、金、及其合金。11.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块结构,其中该蕈型凸块之材质包含锡。12.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块结构,其中该介电层系由光敏性高分子材料所组成。13.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块结构,其中该介电层系由聚亚醯胺(polyimide)所组成。14.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块结构,其中覆盖该介电层之该蕈型凸块的部分,其厚度占总厚度之15到20%。15.一种焊接凸块之形成方法,包括下列步骤:提供一晶片,其上已形成至少一焊垫;在该晶片上方覆盖一保护层,其中该保护层大体露出该焊垫;在该露出的焊垫上方形成一凸块底层金属层;在该保护层及该凸块底层金属层上方依序形成一聚亚醯胺层及一乾式光阻层;依序图案化该乾式光阻层及该聚亚醯胺层,以在其中形成一开口而露出该凸块底层金属层;在该开口中的该凸块底层金属层上形成该焊接凸块;以及去除该乾式光阻层。16.如申请专利范围第15项所述之焊接凸块之形成方法,其中形成该焊接凸块,更包括下列步骤:在该开口中填入一导电材料;以及实施一回焊制程,使该导电材料转为该焊接凸块。17.如申请专利范围第16项所述之焊接凸块之形成方法,其中该导电材料包含锡。18.如申请专利范围第15项所述之焊接凸块之形成方法,其中该凸块底层金属层包含下列之任一种:钛、铬、镍、钒、铜、铝、金、及其合金。19.如申请专利范围第15项所述之焊接凸块之形成方法,其中该开口系一上宽下窄之T型开口。图示简单说明:第1A到1D图系绘示出传统上使用电镀法形成焊接凸块之流程剖面示意图。第2图系绘示出一习知焊接凸块结构之剖面示意图。第3A到3E图系绘示出根据本发明实施例之焊接凸块之形成方法剖面示意图。 |
